國產 DUV 光刻機傳今年生產五部：7nm／5nm 說法離量產仲有幾遠

五部機，現階段係入廠考試

Reuters 引述匿名消息指，上海埃盛納電子科技集團已經開始生產國產浸沒式 DUV 光刻機，2026 年目標約五部，2027 年想加到約 20 部。首批設備據報會送去中芯國際、華虹半導體同長鑫存儲，但用途係接入產線驗證，未有資料顯示佢哋會直接用嚟大量生產晶片。埃盛納、相關晶片廠同股東都冇正式確認，機器亦未公開亮相，所以「已量產國產先進光刻機」講得太快。

28nm、7nm 同 5nm，其實講緊幾樣嘢

報道話部機單次曝光適合 28nm-class 製程，再靠多重曝光做到 7nm，理論上可推至 5nm。呢句最易俾人讀錯：製程節點名稱早已唔係晶片上某條線嘅實際闊度，單次曝光能力同成套製程可以做到咩節點亦冇一對一關係。多重曝光會將一個密集圖案拆開，用兩次、四次甚至更多工序逐份印，再配合沉積、蝕刻同量測，最後先砌出細過光學極限嘅結構。所以 7nm／5nm 係製程路線可能做到嘅目標，唔代表部機可以一次印出 5nm 圖案。

多印幾次，代價唔止係慢

圖案每拆多一層，光罩、曝光、蝕刻同量測工序都會增加，晶圓留喺廠內嘅時間亦會拉長。最麻煩係 overlay，即每次曝光可唔可以準確疊返去上一個圖案。偏差去到一兩納米，導線、接點同電晶體結構已可能出現短路、斷路或者性能走樣，最後拖低良率。ASML 自己講多重曝光時都強調，雙重曝光要靠夠快、夠準嘅平台先有經濟效益；去到四重曝光，誤差同成本只會再放大。

冇產速、overlay 同良率，規格表其實未成立

埃盛納部機而家冇公開每小時處理幾多塊晶圓、跨機 overlay、運行時間、缺陷率或者良率。作為參照，ASML 公開嘅 NXT:1980Fi 規格係每小時 330 塊晶圓、2.5nm machine-matched overlay 同 38nm 解像度。呢啲數字亦唔可以直接拎「28nm-class」嚟鬥細，因為一邊係光學解像度，一邊係製程標籤；不過佢哋說明咗晶圓廠揀機時睇嘅遠多過最細線寬。印到一塊測試圖案，同日夜不停穩定生產合格晶片，中間仲隔住一大段路。

Mount Everest 係 DUV，深圳原型係另一條 EUV 線

Financial Times 2025 年報道，中芯已經測試宇量昇開發、代號 Mount Everest 嘅浸沒式 DUV，目標係完成認證後喺 2027 年接入產線。Reuters 最新資料就話，埃盛納吸收咗宇量昇同上海微電子團隊，兩批報道大致指向同一套 DUV 整合工作。至於深圳嗰個 EUV 原型屬另一項計劃；Reuters 指佢可以產生 EUV 光，但仍未做出晶片。將 Mount Everest、國產 DUV 同 EUV 原型撈埋講，會將實際進度推前好幾級。

五部亦撐唔起先進製程產能

Tom’s Hardware 估算，五部只相當於 ASML 一般年份部署約 130 部浸沒式系統嘅 3.8%，而且國產機仲要留時間做驗證、調校同故障分析。多重曝光本身又會重複佔用 scanner 時間，同一部機可以交付嘅晶圓數會進一步受壓。2027 年增至 20 部嘅目標，亦要本地零件供應同步成熟；報道指部分關鍵組件仍靠日本進口，任何交付延誤或者新一輪出口限制，都可能打亂增產時間表。

對華為同中國 AI 晶片，中期價值係多一條後備線

國產浸沒式 DUV 若果完成認證，最直接用途係補充成熟製程產能，同減低現有 ASML 機隊日後斷零件、斷維修嘅風險。等設備、物料、蝕刻、量測同製程控制一齊成熟，先有機會逐步承接華為手機晶片或者 AI 加速器嘅部分先進製程。不過 AI 晶片通常面積大，晶圓上一個缺陷帶來嘅損失亦較高，低良率尤其傷成本；得五部驗證機，短期內好難明顯改變供應量，更談唔上令中國先進 AI 晶片突然變平。

下一步要睇實際晶圓數據

呢次進展值得留意，因為消息顯示國產浸沒式 DUV 由研發階段行到產線驗證；埃盛納整合幾隊人馬，亦反映相關資源開始集中。不過現階段報道較一致嘅講法，只係低量生產同準備驗證，而且仍待廠商或產線數據證實。較有說服力嘅里程碑會係中芯、華虹或者長鑫公開產線晶圓、穩定產速、overlay、良率同實際出貨紀錄，再睇 2027 年 20 部目標有冇做到。喺呢批數據出現之前，「已有國產 5nm 光刻機」仍然係過度解讀。

參考來源

• Tom's Hardware — Chinese chipmaking tool roadmaps examined — Beijing's nascent lithography tools target DUV production at five machines a year, and an EUV prototype with no chips — original report
• Reuters：China starts production of home-grown immersion DUV tools — 核對埃盛納身份、首批交付對象、五部／20 部目標同消息未獲公司確認嘅限制。
• Financial Times：China tests homegrown advanced chipmaking equipment — 核對中芯測試宇量昇浸沒式 DUV、Mount Everest 代號同產線認證時間線。
• ASML：TWINSCAN NXT:1980Fi 產品資料 — 提供公開嘅 330 wafers per hour、2.5nm overlay 同 38nm 解像度作技術參照。
• ASML：TWINSCAN 20 年技術發展 — 解釋浸沒式曝光、多重曝光、產速同 overlay 點解要一齊睇。
• Semiconductor Engineering：Multi-Patterning Issues at 7nm and 5nm — 補充多重曝光喺 7nm／5nm 面對嘅對位、誤差、成本同良率問題。
• Reuters：China’s EUV ‘Manhattan Project’ investigation — 分清深圳 EUV 原型同 Mount Everest DUV 項目，並核對原型仍未產出晶片。

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