Samsung 1.4nm 延至 2029：先做好 2nm 良率，High-NA EUV 留到 1nm

Samsung Foundry 據報改咗先進製程路線圖，SF1.4 呢個 1.4nm 級節點由原定 2027 年押後到 2029 年，High-NA EUV 則預計去到約 2030 年嘅 1nm 級製程先用於量產。Samsung 將時間表推遲兩年，主要係想先改善 2nm 良率同產量，再慢慢爭取客戶信心。

1.4nm 由 2027 滑到 2029

今次消息源頭係 Samsung 半導體研究所 Foundry 製程開發團隊嘅 Park Chang-min，佢喺 NGL 2026 會議講解公司光刻路線。ZDNet Korea 引述會議內容，指 Samsung 計劃 2029 年量產 SF1.4，約 2030 年再推 SF1.4+ 同 1nm 級製程；Tom’s Hardware 就將呢批資料整理成新版路線圖。呢啲年份始終係規劃，距離量產仲有幾年，之後再改亦唔出奇。

對照返 Samsung 2024 年嘅官方說法，分別幾明顯：當時公司重申 SF1.4 會喺 2027 年量產，效能同良率目標亦話進展順利。去到 2026 年第一季業績，Samsung 仍話 1.4nm 開發按計劃推進，不過同一份業績已經將重點放喺擴大 2nm 大客戶，同埋下半年提升第二代 2nm 手機製程產量。新路線圖其實係將資源取向講得更白。

圖片：Samsung

2nm 要由技術展示變成生意

Samsung 未來幾年會拉長 SF2 家族壽命，當中包括針對手機、HPC、汽車同背面供電嘅不同版本。代工客戶揀廠，睇嘅係良率、每片晶圓可以交到幾多粒合格晶片、產能爬升速度、設計工具同 IP 齊唔齊。節點名行先兩年，但產量追唔上，客戶一樣唔敢將旗艦晶片交過去。

TrendForce 數字好直接：2026 年第一季，台積電佔全球頭十大晶圓代工營收約 72%，Samsung 就跌至 6.5%。兩間公司市佔差距好大，單靠提早推出 1.4nm，未必足以幫 Samsung 追近。Samsung 放慢 SF1.4，換取多兩年打磨 2nm，商業上幾合理。只要 2nm 良率同交貨規模未企穩，開更多節點只會攤薄工程資源。

圖片：Intel

High-NA EUV 買到機只係起點

High-NA EUV 將數值孔徑由現有 EUV 嘅 0.33 提升到 0.55，可以印出更細線路，亦有機會用單次曝光取代部分多重曝光。少幾道工序，理論上可以縮短生產週期同減少疊印誤差。不過 ASML 官方亦寫明，EXE:5000 嘅曝光範圍只有現有 NXE 系統一半；遇上大型 AI 晶片，設計同曝光拼接都可能變複雜。

光刻機以外，光阻、光罩、pellicle、量測、缺陷檢查同計算光刻都要一齊成熟。Park Chang-min 喺會議承認，Samsung 原本想喺 2nm 或 1.4nm 引入 High-NA EUV，但相關技術仍要改善，所以估計去到 A10，即 1nm 級或以下先有需要。現有 0.33 NA EUV 經多年量產，配合多重曝光暫時重有成本同穩定性優勢。

Intel 搶先，Samsung 選擇等多陣

三間先進製程玩家對 High-NA EUV 嘅取態開始分流。Intel 最進取，已經公開話會由 Intel 18A 驗證一路推進至 Intel 14A 生產；Samsung 手上亦有 EXE:5000 做研發，但量產要等到約 2030 年。台積電 2025 年年報確認已經開發 High-NA EUV 相關光刻技術，不過冇喺年報承諾正式量產時間。

用得早可以減少部分多重曝光，亦會先承受新設備、材料同設計規則嘅磨合成本。Samsung 今次選擇押後採用，做法較接近台積電：等成本效益同配套成熟啲，先再擴大量產。Intel 就將 High-NA 當成 14A 嘅技術賣點。到最後邊條路較着數，要睇良率、每片晶圓成本同客戶晶片實際出貨量，單靠光刻機規格判斷唔到。

對未來晶片有咩影響

呢次改期唔會即時改變下一部手機或電腦，但 2nm 能否順利擴產，會慢慢影響旗艦 SoC 同 AI 晶片嘅供應、成本同代工選擇。Samsung 如果用呢段時間將 SF2 做穩，市場多一間真正有規模嘅先進製程供應商，晶片設計公司亦少啲依賴單一代工廠。

下一步可以睇三樣實際訊號：Samsung 有冇公布更多外部 2nm 客戶、第二代 2nm 產量爬升得點，同埋 High-NA EUV 幾時完成量產級材料同光罩驗證。至於 2029 同 2030 呢兩個年份，現階段當路線方向睇就夠，重未去到可以寫死落出貨表嘅程度。

參考來源

• Tom's Hardware — Samsung Foundry updates process roadmap to move 1.4nm node to 2029 — high-NA EUV will enable 1nm-class and smaller nodes in 2030 and beyond — original report
• 삼성전자, 1나노부터 고개구율 EUV 기술 적용 — 直接報道 NGL 2026 會議內容、Samsung 技術人員說法同 2029 至 2030 年規劃。
• Samsung Showcases AI-Era Vision and Latest Foundry Technologies at SFF 2024 — Samsung 官方舊路線圖，核對 SF1.4 原定 2027 年量產。
• Samsung Electronics Announces First Quarter 2026 Results — Samsung 最新官方業務說明，確認擴大 2nm 客戶同提升第二代 2nm 產量嘅方向。
• TWINSCAN EXE:5000 — ASML 官方產品資料，核對 0.55 NA、單次曝光優勢同較細曝光範圍。
• With High NA EUV, Intel Foundry Opens New Frontier in Chipmaking — Intel 官方資料，核對 High-NA EUV 由 18A 驗證推進至 14A 生產嘅部署。
• TrendForce：2026 年第一季全球前十大晶圓代工營收排名 — 提供台積電同 Samsung 最新代工營收市佔，補充兩者競爭背景。

本文根據原文及公開資料整理；資料有出入時，以原文及官方資料為準。