
AI server 搶 RAM,三星 Q2 估賺 18 倍點解會推貴 SSD 同 notebook
HBM 最搶眼,DRAM、NAND 同 SSD 就係買機成本最易反映出嚟嘅位置
18 倍未係正式業績,但訊號好清楚
TechNews 科技新報引述 Reuters 報道,Samsung Electronics 2026 年第二季(4 至 6 月)營業溢利,LSEG SmartEstimate 按 30 名分析師預測計,睇 86 兆韓圜,對返 2025 年同期 4.7 兆韓圜,大約係 18 倍。呢個係 7 月 7 日初步指引前嘅估算,唔係最終財報;Samsung 會喺 7 月底先交詳細數字。講白啲,市場而家睇到嘅唔係 Galaxy 手機突然爆升,而係記憶體周期俾 AI server 重新拉起。

圖片:Samsung Newsroom
HBM 搶眼,但 DRAM 同 SSD 先係傳導位
HBM 係 AI GPU 旁邊嗰疊高速 RAM,新聞焦點自然落喺呢度。不過今次升浪麻煩位,係 HBM 只係入口。做 HBM 要食先進 DRAM die、封裝產能同測試時間,記憶體廠又會優先畀高毛利 server DDR5、RDIMM 同 enterprise SSD,咁 PC RAM、顯示卡用嘅 GDDR、手機 LPDDR、client SSD 可分到嘅供應就少咗。Reuters 文仲引 Citi Research 估,第二季 DRAM 同 NAND 平均售價按季分別升 44% 同 53%,所以 Samsung 個賺錢幅度先咁誇張。

圖片:TrendForce
三大廠位置有啲唔同
Samsung 優勢係 DRAM、NAND、foundry、封裝都喺手,食到 HBM4、生產 base die 同傳統 DRAM 加價幾條線;SK hynix 呢兩年靠 HBM 形象最硬,第一季業績亦係靠 HBM、高容量 server DRAM 同 eSSD 撐起;Micron 則喺最新財報電話會議話,DRAM 同 NAND 需求明顯高過供應,數據中心 SSD 收入季內多過一倍。三間賺嘅唔只係單粒高價 RAM,而係 AI server 入面由 HBM、DRAM 到 SSD 成條記憶體鏈。
點解 AI 推論會食咁多 memory
以前大家講 AI,多數諗訓練大模型:GPU 越多越好,HBM 越快越好。推論同 agentic AI 開始跑起,問題就變成每次回答都要翻資料、保留上下文、處理多步任務,CPU server 嘅 RDIMM、GPU 嘅 HBM、SSD 入面放向量資料庫同 KV cache,全部一齊食。呢個背景解釋咗點解 Reuters 入面分析師唔係淨係講 HBM,仲講到傳統 DRAM 同 NAND 都緊。
對買機升級有咩影響
對砌機、買 notebook、幫公司買工作站嘅人,最直接係報價冇咁快回落。TrendForce 7 月 3 日嘅估算話,第三季 conventional DRAM 合約價仲會按季升 13% 至 18%,NAND Flash 亦會升 10% 至 15%;升幅慢過第二季,但方向都仲係向上。即係 32GB RAM、2TB SSD、AI PC、高 RAM 手機,同埋新一代顯示卡成本,都有機會食到呢波供應偏緊。
風險係 AI 開支有冇真需求支撐
呢個周期同以前 DRAM 上落唔同,雲端商同 AI 公司會用長約鎖貨,記憶體廠又要幾年先加到新廠產能,所以短期唔似靠一兩季減價就解決。不過風險都好實際:如果 AI 服務收入追唔上 data center 開支,買家會縮單,Samsung 同 SK hynix 呢類重押 HBM/DRAM 嘅廠就會即刻感受到。下一步睇 7 月 7 日 Samsung 初步指引同月底詳細財報,尤其係記憶體毛利、bonus 撥備,同下半年出貨指引。
參考來源
- TechNews 科技新報 — AI 掀記憶體缺貨潮,三星 Q2 營業利益有望增 18 倍 — original report
- Samsung likely to post 18-fold jump in profit on surging AI demand for memory — Reuters 原文轉載,核對 86 兆韓圜、18 倍、LSEG SmartEstimate、Citi 價格同風險段落。
- Samsung Electronics Announces First Quarter 2026 Results — 官方第一季財報,確認 Samsung 對下半年 server memory、DDR5、SOCAMM2、PCIe Gen6 eSSD 嘅講法。
- AI Server Demand Continues to Support Memory Prices in 3Q26, but Gains Moderate as Consumer Demand Weakens and High Base Effects Take Hold, Says TrendForce — 記憶體合約價背景,引用第三季 DRAM 同 NAND Flash 加價預測。
- SK hynix Announces 1Q26 Financial Results — 補 SK hynix 喺 HBM、server DRAM 同 eSSD 需求入面嘅位置。
- Micron Technology Fiscal Q3 2026 Earnings Call Prepared Remarks — 官方財報講稿,用嚟核對 Micron 對 DRAM/NAND 供應追唔上需求同 data center SSD 嘅講法。
- Samsung Ships Industry-First Commercial HBM4 With Ultimate Performance for AI Computing — 官方 HBM4 背景同配圖來源,核對 HBM4 性能、容量同產能路線。
本文根據原文及公開資料整理;資料有出入時,以原文及官方資料為準。







