中國據報一年整 5 部浸沒式 DUV，離追到 ASML 同攻克 EUV 仲有幾遠？

五部機，代表中國行到邊一步？

The Information 報道，一間未具名、獲國家支持嘅中國公司已經開始製造國產浸沒式 DUV 曝光機，2026 年目標產出 5 部，2027 年增至 20 部。TechNews 科技新報整理消息時指出，市場隨即擔心 ASML 遇上中國對手。不過涉事公司未有正式確認，機台型號、套刻精度、每小時處理晶圓數、可靠性、良率同客戶驗收結果亦全部未公開。現階段最多只可以確認有一項小規模生產計劃，未足以證明晶圓廠已經用佢穩定量產晶片。

數量本身亦好有參考價值。The Information 指 ASML 去年交付咗 131 部浸沒式 DUV，中國新機今年目標得 5 部，規模只係呢個數字一小截。不過，呢 5 部仍然有技術意義：研發團隊終於有實機送入晶圓廠，可以連同光源、鏡頭、晶圓台、量測軟件同維修體系一齊磨合。問題係，實機送到廠只係第一步。機台送到廠之後，仲要反覆校準同長時間試產。可以短時間完成曝光，同可以日夜穩定運作，係兩回事。

圖片：ASML

浸沒式 DUV 同 EUV 差幾遠？

浸沒式 DUV 會喺鏡頭同晶圓之間加入一層水，提升光學系統嘅解像能力。按 ASML 官方技術資料，先進 ArF DUV 使用 193nm 波長光源，EUV 就用 13.5nm，波長短超過 14 倍。晶圓廠可以靠多重曝光，將同一層圖案拆開幾次印，以 DUV 製作較細線路；但曝光次數愈多，光罩、蝕刻、套刻誤差同生產時間都跟住增加，成本同良率壓力自然更大。

所以，整到浸沒式 DUV，唔代表已經掌握 EUV 所需嘅高功率光源、真空環境、多層反射鏡同精密控制技術。ASML 最新 DUV 亦遠超「有光照落晶圓」咁簡單：官方列出嘅 NXT:2150i，改良重點包括套刻、成像、熱效應補償、晶圓處理同產能。中國新機暫時冇同類數據可供比較，仲冇證據顯示佢已經去到 ASML 現役高產能系統嘅水平。國產 DUV 係供應鏈補洞嘅一步，同攻克 EUV 之間仍隔住另一套龐大工程體系。

點解一則未驗證消息都可以拖低晶片股？

Reuters 報道，消息曝光後 ASML 股價一度跌 8.5%，亞洲多隻晶片股亦受壓。市場驚嘅核心，主要係中國晶圓廠長遠可以逐步用國產設備頂替入口 DUV，削弱 ASML 喺當地嘅生意，同時幫中國記憶體廠擴產。不過 Reuters 同一篇報道亦提到，當日跌市夾雜 AI 基建由邊個埋單、估值偏高、記憶體競爭同利率預期等憂慮。將成個跌浪都算落 5 部未驗證機台度，因果講得太盡。

市場往往會先為幾年後嘅競爭可能性重新定價，唔會等工程師交齊測試報告先郁。今次反應反映咗 ASML 嘅 DUV 優勢一直俾市場視為穩固，一有國產替代消息，估值自然敏感；但短線股價升跌，唔可以直接當成機台技術水平嘅證明。要判斷競爭威脅，始終要睇中國新機可以連續運作幾耐、每小時處理幾多晶圓、套刻有幾準、缺陷率有幾高，仲有客戶肯唔肯正式放入生產線。

記憶體、AI server 同電子產品幾時先受影響？

短期供應鏈唔會因為 5 部機突然改寫。假如國產 DUV 往後真係通過驗收，再由每年幾部擴至穩定批量供應，中國晶圓廠會較容易維持成熟製程同部分記憶體產能，長遠可能增加 NAND、DRAM 以至各類控制晶片嘅供應同價格競爭。手機、電腦同其他電子產品用到大量成熟製程晶片，影響會由上游慢慢傳落嚟，唔會即時反映喺零售價。

至於 AI server 用嘅高階 DRAM、HBM 同先進運算晶片，一部國產 DUV 解決唔晒製程、材料、蝕刻、沉積、封裝同良率限制。下一步應該睇涉事廠商有冇公開規格，5 部機交畀邊間晶圓廠，客戶驗收後又可唔可以持續跑商業訂單。呢幾項資料一日未出，國產 DUV 可以視為值得跟進嘅產業進展，供應鏈實際改變仍要等產線數據確認。

參考來源

• TechNews 科技新報 — 中國 DUV 交付消息引發半導體連鎖殺盤效應，專家解析真相指劃錯重點 — original report
• China Begins Mass Production of Homegrown DUV Chip Tools — 國產浸沒式 DUV 消息嘅最初報道，列出 2026 年 5 部同 2027 年 20 部目標。
• AI anxiety sparks tech rout, broad selloff in Asian markets — Reuters 報道晶片股跌勢、ASML 股價反應，同日其他 AI、估值及宏觀因素。
• DUV lithography systems — ASML 官方介紹浸沒式 DUV 嘅高產能用途、套刻要求同現役產品定位。
• Light and lasers: Lithography principles — ASML 官方解釋 ArF DUV 193nm 同 EUV 13.5nm 光源嘅技術差異。
• TWINSCAN NXT:2150i — ASML 官方產品頁，說明現役浸沒式 DUV 對套刻、成像、熱控制同產能嘅要求。

本文根據原文及公開資料整理；資料有出入時，以原文及官方資料為準。