Kioxia／Sandisk 332 層 NAND 出樣：SSD 下代睇密度同耗電
332 層、4,800MT/s、讀取耗電降低，暫時主攻企業 SSD
出樣同開產，要分清楚
Kioxia 同 Sandisk 呢次講嘅 BiCS10 3D NAND，唔係普通 SSD 新品發佈。Kioxia 7 月 3 日話，1Tb TLC、第 10 代 BiCS FLASH 記憶體晶片已經開始送樣，主要會整合入 enterprise 同 data center SSD；同日另一份官方稿就話，Kitakami Fab2 已經開始導入第 10 代 3D Flash 生產。聽落似好近成品，但官方腳註寫明，呢批 samples 只係做 functional check，規格去到量產可以有變，亦冇零售 SSD 型號、售價、上市日期或港行資料。即係話，買 M.2 SSD 嗰班人暫時唔使等佢救火，呢單似係雲端同 AI server 儲存路線圖提早露面。
圖片：Kioxia
332 層點贏 400 層
好多人睇 3D NAND 會先睇層數，但層數只係 Z 軸。SSD 廠實際計數，仲有 X/Y 平面點收窄、periphery 電路點擺、bonding pad 食咗幾多 die 面積、word line 同 bit line 電容有幾重。Kioxia/Sandisk 今代 332 層，官方講面密度超過 29Gb/mm²；Samsung V10 相關 ISSCC coverage 就係 4xx 層、約 28Gb/mm²、I/O 可到 5,600MT/s。Samsung 嗰邊 I/O speed 快過 BiCS10，但 BiCS10 嘅 areal density 高過 Samsung V10 coverage 入面嗰個數，單睇層數會睇錯重點。
| 技術 | 層數 | 面密度 | NAND I/O | 狀態 |
|---|---|---|---|---|
| Kioxia/Sandisk BiCS10 | 332 | >29Gb/mm² | 4,800MT/s | sample／Fab2 導入生產 |
| Samsung V10 | 4xx | 約 28Gb/mm² | 5,600MT/s | ISSCC 2025 技術發表 |
呢個對照講清楚一點：層數多，唔代表單位面積一定裝得多。BiCS10 用 CBA，即係 CMOS 邏輯同記憶體陣列分開造，再用 wafer-to-wafer bonding 接埋；再配合 OPS，移走冇用嘅 memory holes，縮短 bit line、減少 word line capacitance。結果係 332 層都可以喺面密度上壓過 400+ 層嘅公開數字。當然，Samsung V10 嘅 5,600MT/s I/O 仍然好強，所以呢場唔係單項規格贏晒。
點解先主攻 data center
Tom’s Hardware 提到，Kioxia 冇打算拎 BiCS10 做 client SSD 主線，BiCS9 反而會照顧 client 應用。原因唔難明：BiCS10 係 1Tb TLC，4,800MT/s NAND interface，同埋高密度、低耗電設計，最啱先放入 enterprise、cloud、AI storage 呢類可以消化初期成本嘅產品。PCIe 5.0 data center SSD 而家已經好食 NAND parallelism；到 PCIe 6.0，要餵飽 controller，唔可以淨係靠 controller 勁，NAND die 自己都要夠快、夠慳電、夠密。
讀取耗電呢個細節好關鍵
332 層搶眼，但讀取耗電係今代好有意思嘅細節。Kioxia 研發文講到，傳統 NAND 每次 read 之後，未揀中嘅 word lines 會放返落 VSS，再由地電位拉返上 VREAD；堆疊愈高，word line 愈長，充放電就愈慢同愈食電。BiCS10 會喺連續 read 之間，電壓只落到一個中間位，下一次就由中間位推返上 VREAD。Kioxia 嘅 ISSCC 技術文講，特定連續讀取動作 read time 改善約 4us，read energy efficiency 改善 29%；今次新聞稿就寫 read power efficiency 改善 30%、write 改善 18%。Tom’s Hardware 另用約 100mJ/GB 落到 75mJ/GB 去表達，口徑有差，但方向一致。呢啲係官方同媒體整理數字，唔係 TechLab 實測。
AI workflow 點受影響
AI server 儲存唔係淨係放 training data 咁簡單。大量 inference、RAG、向量 database、media cache、checkpoint、log pipeline，都會不停做細碎或者連續讀取。單粒 NAND 慳少少電、少幾微秒 latency，落到一櫃幾千粒 SSD，就會變成散熱、供電同 rack density 問題。呢個亦解釋咗點解 BiCS10 暫時冇必要急住衝 consumer：打機同剪片 SSD 多數先撞 controller、SLC cache、散熱、價錢；雲端同 enterprise 客戶就真係會用 TCO 去計每 GB、每 watt、每 IOPS。
買 SSD 嗰邊，短期唔使諗太多
如果你而家砌機、升級 PS5、或者幫剪片工作站換 SSD，BiCS10 暫時唔係購買理由。Kioxia 冇講零售產品，Sandisk 亦冇講商用 SSD 名單；官方仲提醒 samples 規格量產可變。比較實際嘅睇法係，上游 NAND 遲早會拎呢啲 CBA、低耗電 I/O、讀取電壓控制帶落其他產品線，但次序多數係 data center 先食，client SSD 之後先慢慢受惠。AI server 需求一路食產能嘅話，消費 SSD 價格仲可能未必即時跌。
下一步睇咩
接住要睇三樣：Kitakami Fab2 幾快有穩定出貨、第一批 enterprise SSD 係 PCIe 5.0 定 PCIe 6.0、同埋 BiCS10 會唔會有 QLC 版本去推高單 drive 容量。Samsung V10 嘅 5,600MT/s I/O speed 仍然好狠，Kioxia/Sandisk 贏面密度但未必贏每項規格，所以呢場競爭唔會由層數決定晒。對用雲端、colo server、或者自己管 AI/dev storage 嘅團隊嚟講，BiCS10 值得睇，因為佢會影響下一代高容量 SSD 點樣分配速度、耗電同成本。
參考來源
- Tom's Hardware — Kioxia and Sandisk sample world's densest 3D NAND — new 332-Layer beats Samsung’s 400-Layer NAND — original report
- Kioxia Commences Sample Shipments of 10th-Generation BiCS FLASH™ Devices Delivering High Performance, High Capacity and Low Power Consumption — Kioxia 官方 sample shipment 數字、Fab2、332 層、4.8Gb/s、power efficiency 同樣本腳註。
- Kioxia and Sandisk Begin Production of 10th-Generation 3D Flash Memory Products at Kitakami Plant Fab2 — 官方講 Kitakami Fab2 開始第 10 代 3D Flash production，釐清出樣同開產關係。
- Sandisk Announces Sampling of BiCS10 1Tb TLC 3D NAND Flash Memory Pushing Density, Power Efficiency and Performance to Support Data-Intensive Workloads — Sandisk 同步公佈 sampling，補 input/output power efficiency 口徑同 CBA 介紹。
- Development of a 1Tb 3b/Cell BiCS FLASH™ generation10 product — ISSCC 2025 技術背景，解釋 29Gb/mm²、4.8Gb/s、read energy 同 word-line voltage-swing 控制。
- Samsung unveils 10th Gen V-NAND: 400+ layers, 5.6 GT/s and hybrid bonding — Samsung V10 400+ 層、約 28Gb/mm²、5.6GT/s 背景比較。
- Sandisk and Kioxia Begin Sampling 332-Layer BiCS10 3D NAND — 補 sample stage、availability、enterprise SSD 定位嘅背景整理。
本文根據原文及公開資料整理；資料有出入時，以原文及官方資料為準。
