High-NA EUV 首次參與量產：Panther Lake 只用喺指定晶片層

18A 已量產，High-NA 今次先正式落場

TechNews 科技新報報道，ASML 確認 Intel Foundry 已經用 High-NA EUV 生產一部分 Core Ultra Series 3（Panther Lake），相關晶片亦進入高量產。不過要分清時間線：Intel 早喺 2025 年已講 Panther Lake 投產，產品喺 2026 年 1 月開賣；7 月 15 日新增嘅里程碑，係 High-NA 首次參與正式出貨嘅高量產邏輯晶片。(ASML 公告、Intel 時間線)

ASML 用字係 「一部分產品」同「指定 Intel 18A 層」，官方冇公開層名，亦冇確認全部屬於金屬互連層。現有資料只支持 High-NA 加入揀過嘅圖案層，成套 18A 全面轉用呢種曝光機嘅講法根本站唔住腳。Intel 喺 Oregon 已經為相關層完成 High-NA 雙重認證，產品良率再同 NXE 平台對照；官方冇交代雙重認證實際涵蓋邊兩套配置。

圖片：ASML

良率數字只反映指定層

ASML 話，呢批已經出貨嘅產品，良率追得上現有 NXE 平台。呢句只覆蓋今次嘅產品子集同指定層，公告冇交代全晶圓良率、缺陷密度、合格 die 數、實際產量或者每片成本。High-NA 層做到同成熟 NXE 路線相若，證明工具開始頂得住生產環境；拎呢句推論 18A 整體良率追平任何對手，證據完全唔夠。

圖片：Intel

High-NA 可以印細過 NXE 嘅圖案

ASML 官方規格顯示，EXE:5200B 將數值孔徑由 NXE 嘅 0.33 提高至 0.55，解像度做到 8nm，成像對比度高過 NXE 40%；單次曝光可以處理細約 1.7 倍嘅圖案，理論密度上限可去到 NXE 嘅 2.9 倍。呢啲係曝光機嘅能力，唔代表 Panther Lake 晶體管密度突然多 2.9 倍，亦唔係免費嘅性能提升。

晶圓廠真正想要嘅，係用一次 High-NA 曝光取代部分複雜嘅多重曝光，有機會少幾張 mask、少幾個工序，順便減少引入缺陷嘅位置。不過 High-NA 採用半幅曝光範圍，每片 wafer 要掃多啲位置，速度要靠高速平台補返；新 mask、量測同製程整合亦要時間。ASML 技術說明冇交代今批 Panther Lake 嘅每片成本，暫時冇條件話 High-NA 已經慳到錢。

買 Panther Lake 筆電，現階段睇唔到額外加成

Core Ultra Series 3 而家已經有成品發售，High-NA 參與嘅只係製造當中某幾層。官方冇提供 High-NA 同 NXE 版本嘅 A/B benchmark、耗電或續航比較，亦冇證據可以將某部機嘅快慢歸功畀曝光機。對買家嚟講，揀機仍然睇成部 notebook 嘅散熱、電池容量、功耗設定同獨立實測，High-NA 暫時只係廠房入面多一個已驗證嘅量產選項。

Intel Foundry 拎到真數據，商業成績仲要再等

Intel 今次成為 首間出貨 High-NA 高量產邏輯產品嘅晶片廠，最大得着係累積設備設定、運行時間同量產整合數據，日後擴到多幾層或者未來節點時少行一段冤枉路。對 Foundry 客戶，真產品出到貨當然有說服力；不過今次驗證來自 Intel 自家晶片，而且只包一部分產品同指定層。

Intel 喺 2025 年年報講明，當時仍未搵到具規模嘅外部晶圓代工客戶，14A 能否做到合算亦要睇客戶訂單。High-NA 率先投入量產，的確有助提升技術可信度；不過要贏到客戶信任同做到盈利，仲要睇 Intel 能否準時交貨、控制成本、維持整體良率，同幫外部客戶順利投產。下一步睇 Intel 會唔會擴大採用層數，同公開較完整嘅量產數據。

參考來源

• TechNews 科技新報 — ASML 宣布英特爾採用 High NA EUV 的 Intel 18A 製程進入高量產階段 — original report
• ASML：High-NA EUV 首款高量產邏輯產品公告 — 一手核對產品範圍、指定晶片層、雙重認證同 NXE 良率對照
• Intel：Panther Lake 架構同 18A 量產時間線 — 核對 Panther Lake 早喺 2025 年投產，同 2026 年 1 月開賣
• ASML：TWINSCAN EXE:5200B 產品資料 — 核對 0.55 NA、8nm 解像度、成像對比度同單次曝光能力
• ASML：High-NA EUV 五個技術重點 — 核對半幅曝光、平台速度同簡化多重曝光工序嘅背景
• Intel 2025 年年報 — 核對外部晶圓代工客戶進度，同 14A 嘅規模同成本條件

本文根據原文及公開資料整理；資料有出入時，以原文及官方資料為準。